安森美与格罗方德携手开发下一代氮化镓功率器件
12月18日,美国芯片厂商安森美宣布已与美国芯片生产巨头格罗方德签署合作协议。安森美将基于格罗方德先进的200毫米增强型硅基氮化镓(eMode GaN-on-silicon)工艺,开发并生产氮化镓功率器件,合作将从650V器件开始。
安森美企业战略高级副总裁Dinesh Ramanathan表示:“我们计划于2026年上半年开始向客户提供样品,并快速扩大至量产规模。”
安森美将其硅基驱动器、控制器和强化散热封装技术,与格罗方德的65....
安森美企业战略高级副总裁Dinesh Ramanathan表示:“我们计划于2026年上半年开始向客户提供样品,并快速扩大至量产规模。”
安森美将其硅基驱动器、控制器和强化散热封装技术,与格罗方德的65....
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