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智新科技1700V SiC MOSFET模块下线
智新科技宣布，1700V SiC MOSFET模块正式下线。
这款1700V SiC MOSFET模块采用HPD封装，耐压提升至1700V，反向阻断电压高达2,180V，寄生电感低于10nH，适配多类系统布局。
具备开关损耗降低60%、导通电阻低至3mΩ、支持100kHz以上高频工作、极限电流≥450Arms\@1200V等性能优势，工作温度可达175℃以上，系统效率最高提升至99%。
广泛适用于高压电驱系统、兆瓦级充电桩等场景，满....
这款1700V SiC MOSFET模块采用HPD封装，耐压提升至1700V，反向阻断电压高达2,180V，寄生电感低于10nH，适配多类系统布局。
具备开关损耗降低60%、导通电阻低至3mΩ、支持100kHz以上高频工作、极限电流≥450Arms\@1200V等性能优势，工作温度可达175℃以上，系统效率最高提升至99%。
广泛适用于高压电驱系统、兆瓦级充电桩等场景，满....
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