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瞻芯电子推出3款车规级第二代650V SiC MOSFET产品
瞻芯电子宣布，公司开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了AEC-Q101车规级可靠性认证。
第二代650V SiC MOSFET产品具备业界较低的损耗水平，且驱动电压为15V-18V。
本次推出的3款新品导通电阻分别为25mΩ，40mΩ和60mΩ，且采用TO247-4封装，可耐受-55°C-175°C工作温度，同时因TO247-4封装具有开尔文源极引脚，而能显著减小栅极驱动电压尖峰。
（摘自2024年3月11日瞻芯....
第二代650V SiC MOSFET产品具备业界较低的损耗水平，且驱动电压为15V-18V。
本次推出的3款新品导通电阻分别为25mΩ，40mΩ和60mΩ，且采用TO247-4封装，可耐受-55°C-175°C工作温度，同时因TO247-4封装具有开尔文源极引脚，而能显著减小栅极驱动电压尖峰。
（摘自2024年3月11日瞻芯....
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