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晶能微电子Si基单开关模块M2试制完成
晶能微电子宣布，完成了Si基单开关模块M2的试制。这是一款高电流密度的单开关模块，主要应用于新一代电动汽车主驱逆变器。
该产品采用第七代自研IGBT芯片，有效降低开关损耗，提升系统效率；利用Si3N4绝缘陶瓷基板和框架直连 (DLB) 技术，减少寄生参数和热阻，增强出流能力；通过结构优化设计和一次焊接工艺，提升了焊接强度并降低制造成本；独特的耐高温焊料与塑封料确保高可靠性和鲁棒性，为客户提供更宽的系统焊接或烧结的工艺窗口。
（摘自2....
该产品采用第七代自研IGBT芯片，有效降低开关损耗，提升系统效率；利用Si3N4绝缘陶瓷基板和框架直连 (DLB) 技术，减少寄生参数和热阻，增强出流能力；通过结构优化设计和一次焊接工艺，提升了焊接强度并降低制造成本；独特的耐高温焊料与塑封料确保高可靠性和鲁棒性，为客户提供更宽的系统焊接或烧结的工艺窗口。
（摘自2....
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