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英飞凌宣布推出新一代OptiMOS源极向下结构功率MOSFET
英飞凌(Infineon Technologies)于1月7日宣布推出新一代OptiMOS源极向下结构功率MOSFET，其源极位于底部。该MOSFET采用3.3 x 3.3mm方形PQFN封装，电压范围为25V至100V。该封装为功率MOSFET设定了新的标准，提供了高效率、高功率密度、出色的热管理功能，减少了组件数量（BOM）。该PQFN适用于电机驱动、服务器和通信开关电源及ORing电路、电池管理系统等用途。
源极向下结....
源极向下结....
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