技術はスマートフォン、タブレット、AI機器、自動運転システムなどに応用できる可能性がある。Soitecは極薄トランジスタ層を様々なウェハー上に高速転写できる新しいTLT基板スタックを発表した。これにより裏面給電式縦型FETのような高度な3Dトランジスタアーキテクチャに向けた複数層の垂直積層が可能となる。このソリューショ...

ニュース  最終更新日: 2025/06/09

向上させる。  ・このSoCにはアプリケーションとWPCスタック処理用の複数のArm Cortexプロセッサ、すべての主要車載シリアルインターフェース、電力管理機能、DC/DC変換器、信号調整機能、WPCインバータードライバー、パワーFET、および周辺機器ドライバーを統合している。これによりOEMによるQi2ベースの量産型車載充電システムの展開...

ニュース  最終更新日: 2024/08/29

IPを通じて12万ドルのバウチャーが承認されている。 ・バージニア州のロアノークバレー(Roanoke Valley)工場で生産される「MDエレクトリック」は、クラス6モデルまたはクラス7モデルとして設定でき、どちらも12%の連邦消費税 (FET) が免除される。 ・「MDエレクトリック」は、出力260hpのニッケル・マンガン・コバルト (NMC) 酸化物リチウム...

ニュース  最終更新日: 2024/05/23

欧州委員会、自動車用スターターバッテリーのカルテル事件で各社に異議告知書を送付 ・欧州委員会は11月30日、自動車用スターターバッテリーメーカーのBanner、Clarios、Exide、FET、Rombat、及び業界団体のEurobatとそのサービスプロバイダーKellenに対し、欧州経済領域内で自動車メーカーに販売される自動車用スターターバッテリーの価格...

ニュース  最終更新日: 2023/12/05

良した第三世代品だ。従来は一体化していたパワーユニットとプラグホルダーを分け、設置の自由度を高めた。また、自動切り替え開閉器を開発し、停電時は自動的にEV・PHEVからの給電を始められるようにした。新たにSiC MOS FET(シリコンカーバイト金属酸化膜半導体電解効果トランジスタ)を採用し、インバーター回路の最適化と合わ...

ニュース  最終更新日: 2023/10/19

るのは、酸化ガリウムパワー半導体だ。22年まではサンプル出荷が中心で本格的な量産に至っていないが、23年以降、「SBD(ショットキーバリアダイオード)」の量産が始まる予定で、23年には4億円の市場が見込まれる。25年にはFET(電界効果トランジスタ)の実用化も見込まれ、シリコンやSiCなどのパワー半導体からの置き換えが進むと期...

ニュース  最終更新日: 2023/04/17

イスラエルのVisIC、GaNベースの3相トラクションインバーターをEVモーターで実証 ・イスラエルのVisIC Technologiesは2月15日、8mΩパワーFETを4個並列接続した2.2mΩ 650Vハーフブリッジパワーモジュールを、大手自動車メーカーの永久同期磁石(PMSM)モーターを用いたダイノテストベンチにおいて、3相構成でのテストに成功したと発表した。・こ...

ニュース  最終更新日: 2023/02/20

英国の半導体企業Dialog Semiconductorは、高効率で高電流の自動車用グレードの降圧DC-DCコンバーターDA914X-Aファミリーを発表した。DA914 X-Aデバイスは、最大40アンペアの電流レベルを実現し、電源コントローラーとディスクリートFETの組み合わせを必要とする電源ソリューションよりも優れている。・DA914X-Aファミリーには現在2つのデバイ...

ニュース  最終更新日: 2021/08/25

ンを共同開発することを目的としており、両社は電気自動車 (EV) 用動力システムの開発に注力する。聯合汽車電子はすでに、EV用車載充電器や高電圧DC/DCコンバーターなどの研究開発および共同開発プロジェクトでNexpeiaのGan FETを採用している。NexperiaのGaN技術は優れた特性値(RDS(on) x QGD) と逆回復電荷 (Qrr) の指標を持ち、高いスイッチ...

ニュース  最終更新日: 2021/03/16

Nexperiaは、銅クリップパッケージの有力イノベーターとして、拡大を続ける幅広い製品の選択肢を提供している。銅クリップ技術は20年前に登場した実績ある「LFPAK」パッケージから発展したもので、同社の窒化ガリウム(GaN) FETの開発にも寄与した。 ・電力ダイオードと整流器に関しては、銅クリップ「FlatPower」製品群(CFP3、CFP5、CFP15B)...

ニュース  最終更新日: 2020/07/14

蘭Nexperia、650V窒化ガリウム技術を発表 ・オランダの半導体メーカーNexperiaは6月10日、窒化ガリウム(GaN) FETデバイスの新シリーズを発表した。次世代高電圧GaN HEMT H2技術を採用しTO-247パッケージと同社独自のCCPAK表面実装パッケージで提供する。 ・新デバイスはエピ貫通ビアという回路形成技術を採用して欠陥を低減しチップ面積を24%縮...

ニュース  最終更新日: 2020/06/16

蘭Nexperia、リカルドと窒化ガリウムを用いたEVインバーターを開発 ・オランダのNexperiaは2月25日、リカルドとの提携を発表した。窒化ガリウム(GaN)技術に基づく電気自動車(EV)用インバーターの技術実証試作品を製作する。 ・GaN FETは、熱性能の向上とシンプルなスイッチングトポロジー(回路構成)により高効率で低コストのシステムが...

ニュース  最終更新日: 2020/02/28

オランダのNexperia 、窒化ガリウムFETソリューションを発表 ・オランダのネクスペリア(Nexperia)は11月19日、GAN063-650WSAの発表をもって窒化ガリウム(GaN) FET市場に参入すると発表した。・電圧650ボルトのGAN063-650WSAは、ゲート・ソース電圧(VGS) +/-20V、温度範囲-55度から+175度の非常に堅牢なデバイスで、60ミリオームという低いドレイン-ソース...

ニュース  最終更新日: 2019/11/21

三菱重工、エンジン・ターボの製造開発子会社が営業開始 三菱重工業の子会社の三菱重工フォークリフト＆エンジン・ターボホールディングス(M-FET、川崎市幸区)は、エンジンとターボチャージャーを開発・製造する事業会社が1日から営業を開始したと発表した。事業会社の社名は「三菱重工エンジン＆ターボチャージャ」で、社長に...

ニュース  最終更新日: 2016/07/05