）芯片。新一代EDT3芯片在高负载条件下可将总损耗降低多达20%，同时保持低负载条件下的运行效率。采用EDT3芯片的电动汽车能够延长续航里程并减少能源消耗，从而提供更加可持续且成本效益更高的驾驶体验。 EDT3芯片组在750V和1200V等级下具备高输出电流，使其成为主逆变器的最佳选择。该芯片的最大虚拟结温为185°C，最大额定集电极-发...

新闻  2025/04/18 更新

英飞凌新款CoolSiC 1200V MOSFET车用器件获佛瑞亚海拉800V DC-DC充电解决方案定点 1月29日，英飞凌宣布，其新款CoolSiC 1200V MOSFET车用器件已获佛瑞亚集团旗下海拉新一代800V DC-DC充电解决方案定点。 CoolSiC 1200V MOSFET器件专为800V汽车架构下的车载充电器和DC-DC应用而打造，采用具备顶部散热（TSC）技术的Q-DPAK封装，确保了出色的热性能、更简便的装...

新闻  2025/02/07 更新

电池，SoC 30%-80%需22分钟。 605km车型搭载800V高压平台和单永磁同步电机（最大功率165kW/峰值扭矩330Nm），驱动方式为后驱，最高车速200km/h，零百加速7.5秒；配备72.96kWh磷酸铁锂电池，SoC 30%-80%需20分钟。 550km车型搭载800V高压平台、1200V SiC碳化硅电控，以及前永磁同步电机（最大功率200kW/峰值扭矩310Nm）+后交流异步电机（最大功率110kW/峰值扭矩...

新闻  2024/10/21 更新

英飞凌为小米电动汽车SU7提供各种产品 英飞凌科技(Infineon Technologies)于5月6日宣布，将在2027年之前为小米最近发布的电动汽车SU7提供碳化硅(SiC)功率模块HybridPACK Drive G2 CoolSiC和裸芯片产品。​  功率模块基于英飞凌的CoolSiC，能够在高温下运行，并提供一流的性能、驱动动力和使用寿命。使用该技术的牵引逆变器可以延长电动汽车的续航里程...

新闻  2024/05/08 更新

瞻芯电子1200V/650V SiC塑封半桥模块获车规认证 瞻芯电子宣布，基于第二代碳化硅（SiC） MOSFET芯片技术开发的首批2款采用SMPD塑封半桥模块产品通过了车规级可靠性认证（AQG324）。 这2款新产品（IVSM12080HA2Z，IVSM06025HA2Z）的内部拓扑均为半桥（Half-bridge），驱动电压兼容15V~18V，并采用SMPD贴片封装，且有顶部散热层，集成了NTC温度传感器。 （摘...

新闻  2024/01/26 更新

芯塔电子SiC MOSFET通过车规级认证 芯塔电子宣布，自主研发的1200V/80mΩTO-263-7封装SiC MOSFET器件获得第三方权威检测机构（广电计量）全套AEC-Q101车规级可靠性认证。 目前，芯塔电子1200V/80mΩ SiC MOSFET在头部OBC企业通过测试，已进入批量导入阶段。 （摘自2023年12月6日芯塔电子官方微信公众号）...

新闻  2023/12/07 更新

飞锃半导体SiC MOSFET获得AEC-Q101车规认证 飞锃半导体（上海）有限公司（飞锃半导体）宣布，自主研发的1200V 35/70/160mΩ和650V 30/45/60mΩ车规级SiC MOSFET器件获得AEC-Q101车规级可靠性认证，并且通过了960V高压H3TRB加严测试。该产品适用于车载OBC和车载DC/DC产品。（摘自2023年11月23日飞锃半导体官方微信公众号）...

新闻  2023/11/28 更新

中心。该设施占地1,300平米，职能范围涵盖了从初步原型设计到小批量生产等电池研发生产的所有环节，研发产品的应用对象则囊括了从小型电动自行车到大型电动卡车的各类出行工具。新设施可测试最高电压、电流和功率分别为1200V、2000A和550kW的各类高低压电池包。此外，该设施还包含了两间恒温室，支持40摄氏度至90摄氏度以上的工作室...

新闻  2023/11/14 更新

英飞凌在NEV充电桩市场与中国Infypower达成合作   英飞凌科技(Infineon Technologies)于9月20日宣布，与中国广东省深圳市的新能源汽车(NEV)充电市场领先企业Infypower(深圳英飞源技术有限公司，以下简称Infypower)达成合作。英飞凌将向Infypower提供提升电动汽车充电效率的1200V CoolSiC MOSFET功率半导体设备。  Infypower的30kW DC充电模块搭载1200V CoolSiC MOSFET，...

新闻  2023/09/25 更新

安森美与博格华纳扩大碳化硅战略合作，协议总价值超10亿美元 安森美（onsemi）与博格华纳（BorgWarner）宣布将碳化硅方面的战略合作，协议的全周期总价值超10亿美元。博格华纳计划将安森美的EliteSiC 1200V和750V功率器件集成到其VIPER功率模块中。与竞品相比，博格华纳的碳化硅主驱逆变器具有更高的能效、更好的冷却性能、更快的充电速度...

新闻  2023/07/25 更新

协议（LTSA），深化双方在碳化硅（SiC）功率器件领域的合作关系。  根据协议，安森美将为极氪提供EliteSiC碳化硅功率器件，提高极氪电动车产品的能效，从而提升性能，加快充电速度，延长续航里程。  极氪将采用安森美的M3E 1200V EliteSiC MOSFET。该碳化硅功率器件能够提供更高的功率和热能效，从而减小车内主驱逆变器的尺寸与重量，并...

新闻  2023/04/26 更新

国星光电半导体功率器件产品通过车规级认证 佛山市国星光电股份有限公司（国星光电）宣布，公司开发的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件成功通过第三方权威检测机构可靠性验证，并获得AEC-Q101车规级认证。SiC-SBD器件采用TO-247-2L封装形式，安全性与稳定性高，可适应复杂的车载应用环境，并用于新能源电动汽车的车载充电机...

新闻  2023/03/14 更新

意法半导体推出采用ACEPACK SMIT封装的功率半导体电桥 意法半导体（STMicroelectronics）宣布，已发布5种采用ACEPACK SMIT封装的功率半导体电桥。5种电桥分别是：2种STPOWER 650V MOSFET半桥、1种600V超快二极管桥、1种1200V半控制全波整流桥、1种1200V晶闸管桥臂。以上所有设备均已投产，符合汽车行业要求，适用于电动车车载充电器、DC-DC转换器以及工业...

新闻  2023/01/12 更新

是该公司的第三代STPOWER SiC MOSFET，具备高性能指数（RDS(on) x 裸片面积）、低开关能量和高同步整流性能。现代汽车的E-GMP电动车平台采用了意法半导体的第三代ACEPACK DRIVE SiC-MOSFET功率模块，起亚EV6等多款车型均基于该平台打造。1200V的ADP280120W3、ADP360120W3、ADP480120W3(-L)已经投产，750V的ADP46075W3和ADP61075W3将于2023年3月之前投产。(摘自2022年12月7...

新闻  2022/12/13 更新

antis就碳化硅(SiC)芯片的多年供应签署了一份不具约束力的谅解备忘录。  英飞凌将从2025年开始确保产能并向Stellantis直属的一级供应商供应CoolSiC裸芯片。交易额预计超过10亿欧元。双方考虑以Stellantis品牌为电动车供应CoolSiC Gen2p 1200V芯片和CoolSiC Gen2p 750V芯片。  英飞凌的CoolSiC技术将帮助Stellantis生产长续航、低功耗的车辆，提供最佳的用户...

新闻  2022/11/17 更新

阳能系统中的逆变器外，还适用于快速电动汽车充电系统、储能系统和其他工业应用等。该芯片今后将集成到英飞凌的功率模块Easy产品群中，以提高Easy 1B和2B模块等现有产品的导通电阻并提高可靠性和效率。英飞凌还将推出使用1200V CoolSiC MOSFET增强Easy 3B模块的新产品。此次CoolSiC MOSFET 1200V M1H产品组合还包括7mΩ、14mΩ、20mΩ的超低导通电阻TO ...

新闻  2022/04/20 更新

比利时CISSOID将在Fortronic 2022上发布新碳化硅逆变器平台   比利时高温运行半导体制造商CISSOID于4月3日宣布，将在意大利电力电子展上Fortronic 2022(4/12-13)上展出新碳化硅逆变器平台。  该公司将提供OLEA COMPOSER - T222碳化硅逆变器启动套件。这是将该公司的3相1200V/550A SiC MOSFET智能模块与Silicon Mobility的T222 FPCU控制器板和应用软件进行机械式、电...

新闻  2022/04/12 更新

低杂散电感和持久坚固性，可承受具有挑战性的车用环境——此为完全发挥SiC MOSFET性能和优势的关键。为达到最佳性能，该功率模块将与可实现快速而可靠的开关和故障保护的恩智浦隔离式高压栅极驱动器GD3160搭配使用。目前，1200V RoadPak半桥SiC模块有580A、780A和980A三种规格可选。（摘自2022年3月21日新闻）...

新闻  2022/03/31 更新

比亚迪半导体成功研发功率器件驱动芯片 比亚迪半导体股份有限公司[BYD Semiconductor Co., Ltd.]（比亚迪半导体）宣布，成功自主研发并量产1200V功率器件驱动芯片——BF1181，今年12月实现向各大厂商批量供货。BF1181是一款磁隔离单通道栅极驱动芯片，用于驱动1200V功率器件，集成了多种功能，如故障报警，有源密勒钳位，主次级欠压保护等。BF1...

新闻  2021/12/16 更新

英飞凌推出采用CoolSiC MOSFET技术的新型电源模块 英飞凌科技(Infineon Technologies)推出采用CoolSiC MOSFET技术的新型汽车电源模块。该公司将在本届PCIM虚拟展会上展出针对纯电动车(EV)的牵引逆变器进行了优化并拥有1200V阻断电压的新型全桥模块HybridPACK Drive CoolSiC。该电源模块基于汽车CoolSiC沟槽MOSFET技术，可支持高功率密度和高性能应用。HybridPACK D...

新闻  2021/05/06 更新