キーワード・画像検索はこちら
AIナビはこちら
ログイン
ソフトウェア開発受託
企業情報
採用情報
サービス案内
利用料金
お問い合わせ
ユーザー登録
ヘルプ＆ガイド
人材紹介
広告掲載
Infineon、新世代OptiMOSソースダウン構造パワーMOSFETを発表
・Infineon Technologiesは1月7日、ソース電極が底面にある新世代のOptiMOSソースダウン構造パワーMOSFETを発表した。このMOSFETは3.3 x 3.3mm角のPQFNパッケージに収められており、耐圧25Vから100Vのものが用意されている。このパッケージはパワーMOSFETの新たな基準となるもので、高効率、高電力密度、優れた熱管理機能を提供し、部品点数（BOM）を低減する。このPQFNはモータードライ....
このニュースは有料会員限定です。
会員登録いただくと、期間限定で続きをお読みいただけます。
さらに、以下のようなコンテンツを無料でご利用いただけます。
- 市場技術レポート
- 世界の自動車生産 / 販売台数
- モデルチェンジ予測
- 自動車業界の最新ニュース
- 自動車部品 300品目のシェア・供給情報
日本
03-4241-3907
米国
メキシコ
ドイツ
中国 (上海)
タイ
インド
